Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK625R2-30C,118
Herstellerteilenummer | BUK625R2-30C,118 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK625R2-30C,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK625R2-30C,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 54.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 128W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK625R2-30C,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK625R2-30C,118-FT |
PSMN017-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E08-55B,127
Nexperia USA Inc.
PSMN6R3-120ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E4R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel