Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK762R6-40E,118
Herstellerteilenummer | BUK762R6-40E,118 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BUK762R6-40E,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK762R6-40E,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7130pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 263W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK762R6-40E,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK762R6-40E,118-FT |
IRF640,127
NXP USA Inc.
IRFZ24N,127
NXP USA Inc.
IRFZ44N,127
NXP USA Inc.
PHP101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHP101NQ04T,127
NXP USA Inc.
PHP110NQ06LT,127
NXP USA Inc.
PHP110NQ08LT,127
NXP USA Inc.
PHP110NQ08T,127
NXP USA Inc.
PHP112N06T,127
NXP USA Inc.
PHP119NQ06T,127
NXP USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel