Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK768R3-60E,118
Herstellerteilenummer | BUK768R3-60E,118 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BUK768R3-60E,118 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK768R3-60E,118 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2920pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 137W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK768R3-60E,118 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK768R3-60E,118-FT |
PSMN013-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN017-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R0-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R7-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN9R5-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMNR90-30BL,118
Nexperia USA Inc.
BUK6607-55C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7635-55A,118
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel