Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9Y11-30B,115

| Herstellerteilenummer | BUK9Y11-30B,115 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9Y11-30B,115 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| BUK9Y11-30B,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 59A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1614pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BUK9Y11-30B,115 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | BUK9Y11-30B,115-FT |

PHT4NQ10T,135
Nexperia USA Inc.

PMT200EN,115
NXP USA Inc.

PMT200EN,135
NXP USA Inc.

PMT200EPEAX
Nexperia USA Inc.

PMT21EN,115
Nexperia USA Inc.

PMT21EN,135
NXP USA Inc.

PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.

PMT29EN,115
NXP USA Inc.

PMT29EN,135
NXP USA Inc.

PMT760EN,115
NXP USA Inc.

LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.

M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation

M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation

5SGXEB5R3F43C3N
Intel

XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.

A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation

A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation

LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC4C6U19I7N
Intel