Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUK9Y7R2-60E,115
Herstellerteilenummer | BUK9Y7R2-60E,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUK9Y7R2-60E,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y7R2-60E,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5026pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Paket / fall | SC-100, SOT-669 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y7R2-60E,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUK9Y7R2-60E,115-FT |
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R1-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y08-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y153-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y19-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y25-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y07-30B,115
Nexperia USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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