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Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1

Name: BUZ30AHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ30AHXKSA1
Price: 1.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (168 reviews)

MFG-Teilenummer: BUZ30AHXKSA1

verfügbare Anzahl: 62230 Stücke

Referenzpreis: USD 1.928

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BUZ30AHXKSA1.pdf

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BUZ30AHXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BUZ30AHXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BUZ30AHXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BUZ30AHXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ30AHXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BUZ30AHXKSA1-FT

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