Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BUZ31L H
Herstellerteilenummer | BUZ31L H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BUZ31L H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BUZ31L H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 7A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 95W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ31L H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BUZ31L H-FT |
IPP70N10S312AKSA1
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M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
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M2GL090TS-1FGG676I
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