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Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1

Name: BUZ32H3045AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ32H3045AATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (120 reviews)

MFG-Teilenummer: BUZ32H3045AATMA1

verfügbare Anzahl: 29400 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BUZ32H3045AATMA1.pdf

BUZ32H3045AATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BUZ32H3045AATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BUZ32H3045AATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BUZ32H3045AATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	75W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ32H3045AATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BUZ32H3045AATMA1-FT

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