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Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1

MFG-Teilenummer
BUZ32H3045AATMA1
verfügbare Anzahl
29400 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BUZ32H3045AATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BUZ32H3045AATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BUZ32H3045AATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie SIPMOS®
BUZ32H3045AATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ32H3045AATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BUZ32H3045AATMA1-FT

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