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Infineon Technologies BUZ73ALHXKSA1

Name: BUZ73ALHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ73ALHXKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (506 reviews)

MFG-Teilenummer: BUZ73ALHXKSA1

verfügbare Anzahl: 37820 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BUZ73ALHXKSA1.pdf

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BUZ73ALHXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BUZ73ALHXKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BUZ73ALHXKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
BUZ73ALHXKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ73ALHXKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BUZ73ALHXKSA1-FT

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