Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG10J/TR
Herstellerteilenummer | BYG10J/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG10J/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYG10J/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10J/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG10J/TR-FT |
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel