Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYG21M R3G
Herstellerteilenummer | BYG21M R3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYG21M R3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYG21M R3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 120ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21M R3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYG21M R3G-FT |
SS115L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel