Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYM13-50-E3/96
Herstellerteilenummer | BYM13-50-E3/96 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM13-50-E3/96 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM13-50-E3/96 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AB, MELF |
Supplier Device Package | GL41 (DO-213AB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-50-E3/96 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM13-50-E3/96-FT |
BAS16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel