Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYM13-50HE3/96
Herstellerteilenummer | BYM13-50HE3/96 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM13-50HE3/96 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM13-50HE3/96 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AB, MELF |
Supplier Device Package | GL41 (DO-213AB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-50HE3/96 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM13-50HE3/96-FT |
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-00-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel