Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BYM300B170DN2HOSA1
Herstellerteilenummer | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 40A |
Leistung max | 20mW |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 40µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel