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Herstellerteilenummer | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 40A |
Leistung max | 20mW |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 40µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation