Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / BYM600A170DN2HOSA1
Herstellerteilenummer | BYM600A170DN2HOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYM600A170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYM600A170DN2HOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Single |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Leistung max | 1400W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM600A170DN2HOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYM600A170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel