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Herstellerteilenummer | BYQ28EF-200HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYQ28EF-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYQ28EF-200HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EF-200HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYQ28EF-200HE3/45-FT |
VS-MBR2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR3045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS40L15CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L40C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M30L45C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel