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Herstellerteilenummer | BYT51J-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYT51J-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYT51J-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-57, Axial |
Supplier Device Package | SOD-57 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT51J-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYT51J-TAP-FT |
BYW172F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW72-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW74TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel