Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYT51M-TR
Herstellerteilenummer | BYT51M-TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYT51M-TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYT51M-TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-57, Axial |
Supplier Device Package | SOD-57 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT51M-TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYT51M-TR-FT |
BYW72-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW74TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW74TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW75TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW75TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW76TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW76TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel