Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYV28-200-RAS15-10
Herstellerteilenummer | BYV28-200-RAS15-10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV28-200-RAS15-10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV28-200-RAS15-10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-64, Axial |
Supplier Device Package | SOD-64 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-200-RAS15-10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV28-200-RAS15-10-FT |
BAV100-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV103-IR08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101B-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101B-7
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel