Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYV30JT-600PQ
Herstellerteilenummer | BYV30JT-600PQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV30JT-600PQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV30JT-600PQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Supplier Device Package | TO-3P |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV30JT-600PQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV30JT-600PQ-FT |
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-13-G
Diodes Incorporated
B240-13-G-84
Diodes Incorporated
B240A-13-02-F
Diodes Incorporated
B340A-13-03-F
Diodes Incorporated
B340A-13-F-81
Diodes Incorporated
B340A-13-G-72
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel