Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BYV32E-200,127
Herstellerteilenummer | BYV32E-200,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV32E-200,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV32E-200,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32E-200,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV32E-200,127-FT |
RB085T-40
Rohm Semiconductor
RB085T-90
Rohm Semiconductor
RF2001T3D
Rohm Semiconductor
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RB088T150FH
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RB095T-90
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RB095T-40
Rohm Semiconductor
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation