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Herstellerteilenummer | BYV541V-200 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYV541V-200 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYV541V-200 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 50A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 50A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | ISOTOP |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV541V-200 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYV541V-200-FT |
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel