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Herstellerteilenummer | BYVB32-200-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYVB32-200-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYVB32-200-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 18A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-200-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYVB32-200-E3/45-FT |
V20DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel