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Herstellerteilenummer | BYVF32-200HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYVF32-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYVF32-200HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 18A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVF32-200HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYVF32-200HE3/45-FT |
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF2045CTG
ON Semiconductor
MBRF2060CTG
ON Semiconductor
UH20FCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT6045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel