Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYW29E-200,127
Herstellerteilenummer | BYW29E-200,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYW29E-200,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYW29E-200,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29E-200,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYW29E-200,127-FT |
CD1206-S01575
Bourns Inc.
CD1005-B00340
Bourns Inc.
CD1005-B0130
Bourns Inc.
CD1005-B0130L
Bourns Inc.
CD1005-B0140L
Bourns Inc.
CD1005-B0140R
Bourns Inc.
CD1005-B0230
Bourns Inc.
CD1005-B0240
Bourns Inc.
CD1005-B0520
Bourns Inc.
CD1005-S01575
Bourns Inc.
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel