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Herstellerteilenummer | BYW53-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYW53-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYW53-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-57, Axial |
Supplier Device Package | SOD-57 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW53-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYW53-TAP-FT |
BY203-20STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY268TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY269TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV38-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5059TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5060TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5061TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY203-12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel