Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD17C82P-E3-08
Herstellerteilenummer | BZD17C82P-E3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD17C82P-E3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZD17C82P-E3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 62V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C82P-E3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD17C82P-E3-08-FT |
BZD27B10P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B18P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B5V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C12P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel