Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B13P-M3-08
Herstellerteilenummer | BZD27B13P-M3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B13P-M3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B13P-M3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 10 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 10V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B13P-M3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B13P-M3-08-FT |
BZD17C200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C20P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C20P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C27P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C30P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel