Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B27P-M3-18
Herstellerteilenummer | BZD27B27P-M3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B27P-M3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B27P-M3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 15 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 20V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B27P-M3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B27P-M3-18-FT |
BZD27B10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel