Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B4V7P-M3-18
Herstellerteilenummer | BZD27B4V7P-M3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B4V7P-M3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B4V7P-M3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 7 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B4V7P-M3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B4V7P-M3-18-FT |
BZD27B160P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC4052XL-2HQ304C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel
10AX016E3F29E1HG
Intel
EP20K300EQC240-2X
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel