Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B51P-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZD27B51P-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B51P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B51P-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 60 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 39V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B51P-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B51P-HE3-08-FT |
BZD27B16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B180P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
5SGSMD5H1F35C1N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel