Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B5V1P-M3-18
Herstellerteilenummer | BZD27B5V1P-M3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B5V1P-M3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B5V1P-M3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 6 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B5V1P-M3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B5V1P-M3-18-FT |
BZD27B18P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B20P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel