Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B62P-M3-08
Herstellerteilenummer | BZD27B62P-M3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B62P-M3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B62P-M3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 80 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 47V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B62P-M3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B62P-M3-08-FT |
BZD27B20P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B22P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B24P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.