Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27B82P-M3-08
Herstellerteilenummer | BZD27B82P-M3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27B82P-M3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B82P-M3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 100 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 62V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B82P-M3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27B82P-M3-08-FT |
BZD27B39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
LFECP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXMA7K2F35C3
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
LFXP6C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-3N
Intel