Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZG05B8V2-E3-TR3
Herstellerteilenummer | BZG05B8V2-E3-TR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZG05B8V2-E3-TR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZG05B8V2-E3-TR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±1.95% |
Leistung max | 1.25W |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 6.2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZG05B8V2-E3-TR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZG05B8V2-E3-TR3-FT |
BZG05B22-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B22-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B24-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B24-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B24-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B24-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B27-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B27-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B27-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B27-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation