Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZS55B9V1 RXG
Herstellerteilenummer | BZS55B9V1 RXG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZS55B9V1 RXG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZS55B9V1 RXG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 500mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 10 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6.8V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1206 (3216 Metric) |
Supplier Device Package | 1206 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZS55B9V1 RXG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZS55B9V1 RXG-FT |
1N3003B
Microsemi Corporation
1N3003RB
Microsemi Corporation
1N3004B
Microsemi Corporation
1N3004RB
Microsemi Corporation
1N3005B
Microsemi Corporation
1N3005RB
Microsemi Corporation
1N3006B
Microsemi Corporation
1N3007A
Microsemi Corporation
1N3007B
Microsemi Corporation
1N3007RB
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel