Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / BZT03D12-TAP
Herstellerteilenummer | BZT03D12-TAP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT03D12-TAP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZT03D12-TAP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 9.3V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 10.8V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 17.5V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 17.7A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | SOD-57, Axial |
Supplier Device Package | SOD-57 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03D12-TAP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT03D12-TAP-FT |
VESD05A1-02V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SGXMA9K1H40I2N
Intel
5SGXEA3K3F35C4N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SB484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C3N
Intel