Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B10-E3-08
Herstellerteilenummer | BZT52B10-E3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B10-E3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZT52B10-E3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5.2 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B10-E3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B10-E3-08-FT |
BZT52C4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C5V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4681-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4682-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation