Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B10-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZT52B10-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B10-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B10-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 5.2 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B10-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B10-HE3-08-FT |
CMDZ18L TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ3V0 TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ4V3 TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ5221B TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ5259B TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ7V5 TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ11L TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ5226B TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ5L1 TR
Central Semiconductor Corp
CMDZ6L2 TR
Central Semiconductor Corp
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation