Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B13-G RHG
Herstellerteilenummer | BZT52B13-G RHG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B13-G RHG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZT52B13-G RHG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 30 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 8V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B13-G RHG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B13-G RHG-FT |
BZT52B10S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B11S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B12S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B16S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B20S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B24S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel