Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B3V9-E3-18
Herstellerteilenummer | BZT52B3V9-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B3V9-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZT52B3V9-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 80 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B3V9-E3-18-FT |
BZT52B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation