Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B6V8-E3-18
Herstellerteilenummer | BZT52B6V8-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B6V8-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BZT52B6V8-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 3V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V8-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B6V8-E3-18-FT |
BZT52B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel