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Herstellerteilenummer | BZT52B7V5-HE3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B7V5-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B7V5-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 5V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B7V5-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B7V5-HE3-18-FT |
BZT52B39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation