Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B8V2-G3-08
Herstellerteilenummer | BZT52B8V2-G3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B8V2-G3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B8V2-G3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B8V2-G3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B8V2-G3-08-FT |
BZT52B39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel