Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52B8V2-G3-18
Herstellerteilenummer | BZT52B8V2-G3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B8V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B8V2-G3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B8V2-G3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B8V2-G3-18-FT |
BZT52B39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
U1AFS1500-FG256I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7M15C8N
Intel
XA6SLX16-2CSG225Q
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9C7F23C8N
Intel