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Herstellerteilenummer | BZT52B8V2-HE3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52B8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B8V2-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Toleranz | ±2% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 6V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B8V2-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52B8V2-HE3-18-FT |
BZT52B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40HX1K-TQ144
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-1FGG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PLG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2N
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
EP1S30F780C7N
Intel