Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52C36-HE3-18
Herstellerteilenummer | BZT52C36-HE3-18 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52C36-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C36-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 36V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 40 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 27V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C36-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52C36-HE3-18-FT |
BZT52B6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation