Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52C3V6-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZT52C3V6-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52C3V6-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C3V6-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 80 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C3V6-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52C3V6-HE3-08-FT |
BZT52B9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel