Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZT52C3V9-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZT52C3V9-HE3-08 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BZT52C3V9-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C3V9-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 410mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 80 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C3V9-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZT52C3V9-HE3-08-FT |
BZT52B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K600EFI672-2X
Intel
EP4CGX150DF27C7
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
EP3SE110F1152C3
Intel
XC2VP30-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
HC20K600BC652AD
Intel