Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZX384C62-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZX384C62-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZX384C62-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C62-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Toleranz | ±5% |
Leistung max | 200mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 215 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 43.4V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C62-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZX384C62-HE3-08-FT |
BZX384C24-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C24-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C24-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C24-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C24-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C27-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C27-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C27-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C27-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C27-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel